“中国半导体技术奠基人”黄昆

药苑老农 · 发表于 2023-5-24 07:18

“中国半导体技术奠基人”黄昆

半导体中晶格超，吸收激子二维描。

接连介电岐途入，偶极模型差误消。

类体纵横光振动，格波电子互招摇。

贯联五校英才育，引领炎黄腾碧霄。

注：

黄昆(1919年9月2日－2005年7月6日)，浙江嘉兴人，出生于北京，九三学社社员，世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一。中国科学院物理学数学部委员（院士），瑞典皇家科学院外籍院士，第三世界科学院院士。曾先后荣获何梁何利基金科学与技术成就奖、国家最高科学成就奖。黄昆完成了两项开拓性的学术贡献。一项是提出著名的"黄方程"和"声子极化激元"概念，另一项是与后来成为他妻子的里斯(A.Rhys，中文名李爱扶)共同提出的"黄-里斯理论"。黄昆和学生发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法，从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。并基于他在1951年提出的偶极振子晶格模型，他们提出了一个能描述迄今了解的实验事实的理论模型，得到了在一维和二维的量子系统中纵向光学振动和横向光学振动的类体模的正确描述。他们的这项工作对理解半导体超晶格的光学性质、光散射效应、电子和格波的相互作用起到了重要作用。小行星国际编号 48636。